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型号 SI4621DY-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
SI4621DY-T1-E3 PDF
代理商 SI4621DY-T1-E3
产品目录绘图 DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 1
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 54 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 450pF @ 10V
功率 - 最大 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1665 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI4621DY-T1-E3CT
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